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数量:12000 |
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集电极电流(DC ) | 0.05 A |
集电极 - 发射极电压 | 35 V |
半强度角 | 50 deg |
功率耗散 | 0.165 W |
安装 | Through Hole |
工作温度范围 | -40C to 100C |
包装类型 | T-1 |
峰值波长 | 880 nm |
引脚数 | 2 |
极性 | NPN |
上升时间 | 5000/8000 ns |
暗电流 | 50 nA |
光电流 | 3000/4800 uA |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Industrial |
光电晶体管类型 | Phototransistor |
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) | 0.15 V |
下降时间 | 5000/8000 ns |
弧度硬化 | No |
Optempmin | -40 °C |
Maxsensivity | 880 nm |
探测角度 | 50 ° |
V( CEO ) | 35 V |
敏感区 | 0.11 mm² |
包装 | T 1 |
汽车 | CERTIFICAT |
Optempmax | 100 °C |
Photo currmax | 2000 µA |
上升/下降时间 | 6500 ns |
正向V / VCEO | 35 V |
封装 | BULK |
SMD / THT | THT |
Photo currmin | 630 µA |
Sensrange min | 450 nm |
暗电流为100nA | 1 nA |
Sensrange max | 1100 nm |
类型 | PHOTOTRANS |
Leadfree Defin | RoHS-conform |
电源dissip | 165 mW |
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