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厂商型号

Q62702-P3595 

产品描述

PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON 880NM 2-PIN T-1

内部编号

286-Q62702-P3595

#1

数量:12000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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Q62702-P3595产品详细规格

集电极电流(DC ) 0.05 A
集电极 - 发射极电压 35 V
半强度角 50 deg
功率耗散 0.165 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -40C to 100C
包装类型 T-1
峰值波长 880 nm
引脚数 2
极性 NPN
上升时间 5000/8000 ns
暗电流 50 nA
光电流 3000/4800 uA
元件数 1
工作温度分类 Industrial
光电晶体管类型 Phototransistor
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) 0.15 V
下降时间 5000/8000 ns
弧度硬化 No
Optempmin -40 °C
Maxsensivity 880 nm
探测角度 50 °
V( CEO ) 35 V
敏感区 0.11 mm²
包装 T 1
汽车 CERTIFICAT
Optempmax 100 °C
Photo currmax 2000 µA
上升/下降时间 6500 ns
正向V / VCEO 35 V
封装 BULK
SMD / THT THT
Photo currmin 630 µA
Sensrange min 450 nm
暗电流为100nA 1 nA
Sensrange max 1100 nm
类型 PHOTOTRANS
Leadfree Defin RoHS-conform
电源dissip 165 mW

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